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国家电投集团科PG娱乐学技术研究院取得具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法专利发布日期:2025-05-10 16:22:14 浏览次数:

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国家电投集团科PG娱乐学技术研究院取得具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法专利

  金融界2025年3月29日消息,国家知识产权局信息显示,国家电投集团科学技术研究院有限公司取得一项名为“具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法”的专利,授权公告号 CN 114005890 B,申请日期为 2021年10月。

  天眼查资料显示,国家电投集团科学技术研究院有限公司,成立于2011年,位于北京市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本120000万人民币,实缴资本120000万人民币。通过天眼查大数据分析,国家电投集团科学技术研究院有限公司共对外投资了23家企业,参与招投标项目1311次,财产线条,此外企业还拥有行政许可77个。

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