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PG电子安徽蓝讯申请掺杂硅粉的氮化硅陶瓷基片制备方法专利得到的氮化硅陶瓷基片具有高热导率和高致密度发布日期:2025-04-04 19:36:49 浏览次数:

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PG电子安徽蓝讯申请掺杂硅粉的氮化硅陶瓷基片制备方法专利得到的氮化硅陶瓷基片具有高热导率和高致密度

  金融界2024年10月19日消息,国家知识产权局信息显示,安徽蓝讯通信科技有限公司申请一项名为“一种掺杂硅粉的氮化硅陶瓷基片的制备方法”的专利,公开号CN 118754679 A,申请日期为2024年5月。

  专利摘要显示,本发明公开了一种掺杂硅粉的氮化硅陶瓷基片的制备方法,包括步骤:制备混合浆料,将含有分散剂的溶剂加入在搅拌磨中,再加入混合粉体进行球磨,再加入粘结剂和增塑剂进行球磨,得到混合浆料;其中,混合粉体包括硅粉;脱泡处理,在0.1MPa~1MPa真空度下,将混合浆料脱泡5min~60min,得到脱泡浆料;制备氮化硅基片坯体,将脱泡浆料导入流延机,调整流延速度为0.02m/min~1.0m/min,将加热温度在25℃~80℃之间设置多级梯度,流延成型得到厚度在0.2mm~0.3mm的氮化硅生坯带,将氮化硅生坯带切割、叠层,得到氮化硅基片坯体;氮化烧结处理,将氮化硅基片坯体依次进行氮化处理和烧结处理,得到氮化硅陶瓷基片。本发明采用硅粉为原料,优化球磨时间和加料顺序,得到的氮化硅陶瓷基片具有高热导率和高致密度。

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